STMicroelectronics NV (NYSE : STM, ISIN : NL0000226223), basée à Genève, Suisse, et Soitec, un développeur et producteur de matériaux semi-conducteurs coté en bourse, ont annoncé aujourd’hui une collaboration.

Soitec, basée à Bernin (France), approfondit sa collaboration avec STMicroelectronics dans le domaine des substrats en carbure de silicium (SiC). La qualification par ST de la technologie de substrat SiC de Soitec est prévue pour les 18 prochains mois.

L’objectif de cette collaboration est que STM adopte la technologie SmartSiC de Soitec pour la production future de substrats de 200 mm, que la société entend utiliser dans la fabrication de composants et de modules. La production en série est également prévue à moyen terme.

SmartSiC utilise la technologie SmartCut de Soitec pour cliver et coller une fine couche de plaquette « donneuse » SiC de haute qualité sur une plaquette « poignée » PolySiC à faible résistance.

Le substrat ainsi réalisé améliore les performances du dispositif et le rendement de production. La plaquette peut être réutilisée plusieurs fois, ce qui réduit la consommation globale d’énergie pour sa fabrication.

« La transition vers des tranches de SiC de 200 mm apportera des avantages significatifs à nos clients automobiles et industriels alors qu’ils accélèrent la transition vers l’électrification de leurs systèmes et produits. Ceci est important pour réaliser des économies d’échelle à mesure que les volumes de produits augmentent », a déclaré Marco Monti, président du groupe automobile et discret chez STMicroelectronics.

« Nous avons choisi un modèle intégré verticalement pour maximiser notre expertise sur l’ensemble de la chaîne de fabrication, des substrats de grande valeur à la production frontale et dorsale à grande échelle. L’objectif de la coopération technologique avec Soitec est d’améliorer encore notre rendement et notre qualité de fabrication. »